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英飛凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC頂部冷卻封裝，為現(xiàn)代汽車(chē)應(yīng)用提供更高效率
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用?OptiMOS? MOSFET技術(shù)的SSO10T TSC?封裝。該封裝采用頂部直接冷卻技術(shù)，具有出色的熱性能，可避免熱量傳入或經(jīng)過(guò)汽車(chē)電子控制單元的印刷電路板（PCB）。該封裝能夠?qū)崿F(xiàn)簡(jiǎn)單、緊湊的雙面PCB設(shè)計(jì)，并更大程度地降低未來(lái)汽車(chē)電源設(shè)計(jì)的冷卻要求和系統(tǒng)成本。因此，SSO10T TSC適用于電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向（EPS）、電子機(jī)械制動(dòng)（EMB）、配電、無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器（BLDC）、安全開(kāi)關(guān)、反向電池和DCDC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。SSO10T TSC的占板面積為5
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 功率MOSFET SSO10T TSC 頂部冷卻封裝
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